Detailní informace o produktu

Typ produktu Česká technická norma (ČSN)
Oznaèení zákl. dokumentu ČSN IEC 60050-521
Zmìna/oprava/svazek
Tøídicí znak 330050
Katalogové èíslo 67115
Název dokumentu Mezinárodní elektrotechnický slovník - Část 521: Polovodičové součástky a integrované obvody
Anglický název International Electrotechnical Vocabulary - Part 521: Semiconductor devices and integrated circuits
Datum vydání 01.06.2003
Datum ukonèení platnosti
Datum úèinnosti 01.07.2003
Vìstník vydání (mìs/rok) 6/03
Vìstník zrušení
Zpùsob vydání samostatně tiskem
Zpùsob pøevzetí originálu převzetí originálu
Bude pøeložena Ne
Použité jazyky anglicky, francouzsky
ICS kódy 01.040.31 - Elektronika (názvosloví)
31.080.01 - Polovodičové součástky obecně
31.200 - Integrované obvody. Mikroelektronika
Subsektor
Deskriptory
Klíèová slova Akceptor,Akceptorová hladina,Aktivační energie příměsi,Anodo-katodová (voltampérová) charakteristika,Anodová charakteristika,Asociativní paměť,Asymetrický tyristor,Blochův pás,Blokovací stav,Bohrův model atomu,Boltzmannův vztah,Buňka (v polovodiči),Báze,Charakteristika magnetorezistoru,Chladič,Citlivost na řídicí; proud (Hallovy sondy),Corbinův disk,Degenerovaný polovodič,Deska,Detekční; dioda,Diferenciální odpor v propustném stavu,Difuze (v polovodiči),Difuzní,Difuzní délka (minoritních nosičů),Difuzní přechod,Difuzní technika,Dioda pro násobení kmitočtu,Diodový zpětně propustný tyristor,Diodový zpětně závěrný tyristor,Diskrétní (polovodičová) součástka,Doba doběhu,Doba náběhu,Doba přesahu,Doba zpoždění,Donor,Donorová hladina,Dotování (polovodiče),Dovolený pás,Driftová,Druhé kvantové číslo l,Dynamická paměť (pro čtení a zápis),Dynamický odpor v sepnutém stavu,Děrová vodivost,Díra,Efektivní indukční oblast výstupní smyčky,Efektivní indukční oblast řídicí proudové smyčky,Elektroda (polovodičové součástky),Elektroluminiscenční dioda,Elektronová vodivost,Emitor,Emitor (tranzistoru řízeného polem),Emitorový přechod,Energetická hladina (částice),Energetické schéma,Energetický pás (v polovodiči),Epitaxe,Extrinsický polovodič,Fermiho hladina,Fermiho statistika,Fermiho-Diracova funkce,Fermiho-Diracova; statistika,Fermiho-Diracův-Sommerfeldův zákon rozdělení rychlostí,Fotodioda,Fotoelektrický jev,Fotoelektrický článek,Fotoelektromagnetický jev,Fotoemitor,Fotonapěťový jev,Fotorezistor,Fototranzistor,Fototyristor,Fotovodivostní jev,Fotočlánek,Hallova konstanta,Hallova pohyblivost,Hallova sonda,Hallova součástka,Hallovo napětí,Hallovy vývody,Hallův generátor,Hallův jev,Hallův magnetometr,Hallův modulátor,Hallův násobič,Hallův; úhel,Hlavní (voltampérová) charakteristika,Hlavní napětí,Hlavní proud,Hlavní vývod,Hradlo (tranzistoru řízeného polem),Hradlová fotodioda,Hradlové pole,Hranice PN,Hromadění nosičů náboje (v polovodiči),Ideální krystal,Indukované řídicí napětí (Hallovy součástky),Infračervená emisní dioda,Integrovaná paměť,Integrovaný obvod,Integrovaný obvod pro specifické účely,Intrinsická vodivost,Intristický polovodič,Inverzní dioda,Inverzní režim činnosti,Ionizační energie akceptoru,Ionizační energie; donoru,Iontová implantace,Iontová vodivost,Iontový polovodič,Izolant,Jednosložkový polovodič,Jednotunelová dioda,Kanál (tranzistoru řízeného polem),Kapacitní dioda,Kmitočet jednotkového proudového zesílení (f1),Kolektor,Kolektor (tranzistoru řízeného polem),Kolektorový přechod,Kompenzace příměsí,Kompenzovaný polovodič,Kritická strmost růstu blokovacího napětí,Kritická strmost růstu propustného proudu,Kvantovaný systém (částic),Kvantové číslo (elektronu v daném; atomu),Kvantové číslo celkového úhlového momentu j,Laserová dioda,Lavinová fotodioda,Lavinová usměrňovací dioda,Lavinové napětí,Lavinový průraz (přechodu PN ve zpětném směru),Lokální hladina,Magneticko-odporový jev,Magnetická citlivost (Hallovy sondy),Magnetický; součinitel magnetorezistoru,Magnetoodporová charakteristika,Magnetoodporová citlivost magnetorezistoru,Magnetoodporový poměr magnetorezistoru,Magnetorezistivní jev,Magnetorezistor,Majoritní nosič (v polovodičové oblasti),Makrobuňka,Maxwellova-Boltzmannova statistika,Maxwellův-Boltzmannův zákon; rozdělení rychlostí,Menšinový nosič,Mezní kmitočet,Mikroelektronika,Mikroobvod,Mikrosestava,Mikroslitinová technika,Mikrovlnná omezovací dioda,Mikrovlnná spínací dioda,Minoritní nosič (v polovodičové oblasti),Mnohočipový integrovaný obvod,Modul laserové diody,Modulace vodivosti (polovodiče),Modulační dioda,Montážní rámeček (pouzdra),Místní hladina,Nadbytečný nosič,Naprašování,Napěťová referenční dioda,Napěťová regulační,Nedegerovaný polovodič,Nekvantovaný systém (částic),Neobsazený pás,Nestálá paměť,Neutrální oblast,Nevlastní polovodič,Nevodič,Nezapínací napětí hradla,Nezapínací napětí řídicí elektrody,Nezapínací proud hradla,Nezapínací proud řídicí; elektrody,Nečistota,Nosič (náboje) (v polovodiči),Náboj zotavování (diody nebo tyristoru),Náhradní obvod,Násobičová dioda,Oblast prostorového náboje,Oblast prostorového náboje (přechodu PN),Oblast záporného diferenciálního odporu,Obohacovací typ tranzistoru řízeného; polem,Obohacovací činnost,Obousměrný tranzistor,Obousměrný triodový tyristor,Obrácené zapojení se společnou bází,Obrácené zapojení se společným emitorem,Obrácené zapojení se společným kolektorem,Obrácený režim; činnosti,Obsazený pás,Ochuzená vrstva (polovodiče),Ochuzovací typ tranzistoru řízeného polem,Ochuzovací činnost,Odporový mezní kmitočet,Optický vazební člen,Optoelektronická součástka,Optoelektronický(á) displej,Optoelektronický; přenosový člen,Optron,Orbitální kvantové číslo,Paměť jen pro čtení-ROM,Paměť pro čtení a zápis,Paměť s adresovatelným obsahem,Paměť s libovolným; přístupem-RAM,Paměť se seriovým přístupem,Paměťová buňka,Paměťový prvek,Parametr obvodu,Pasivace povrchu,Past,Pasívní prvek obvodu,Pauliho princip,Pauliho-Fermiho vylučovací princip,Piezoodporový jev,Piezorezistivní jev,Planární; technika,Plovoucí potenciál,Plošný bipolární tranzistor,Podložka,Polovodič,Polovodič N,Polovodič P,Polovodič s děrovou vodivostí,Polovodič s elektronovou vodivostí,Polovodičová dioda,Polovodičová součástka,Polovodičová součástka citlivá na; světlo,Polovodičová usměrňovací dioda,Polovodičový fotoelektrický detektor,Polovodičový integrovaný obvod,Polovodičový laser,Polovodičový termočlánek,Polovodičový usměrňovací blok,Polozákaznický integrovaný obvod,Porucha (krystalové mřížky),Potenciálová bariéra,Potenciálová přehrada,Potenciálová přehrada (přechodu PN),Pouzdro,Povrchová hladina,Povrchová rekombinační rychlost,Povrchový pás,Pozvolný přechod,Prahové napětí (diody nebo tyristoru),Prahové napětí (obohacovacího typu tranzistoru řízeného polem),Programovatelná logická; součástka-PLD,Programovatelné hradlové pole,Programovatelné logické pole,Promítnutý vrcholový bod (tunelové diody),Propustná zotavovací doba,Propustný stav,Proudová regulační dioda,Proudový zesilovací činitel nakrátko (při malém; signálu),První kvantové číslo n,Prázdný pás,Průnik (mezi dvěma přechody PN),Průraz (přechodu PN ve zpětném směru),Pás buzení,Přechod,Přechod PN,Přechodová oblast,Přechodová oblast koncentrace příměsí,Přechodový kmitočet (fT),Přídržný proud,Příměs,Příměsová hladina,Příměsový polovodič,Příměsový pás,Přímý směr (PN přechodu),Rekombinační centrum,Rostlý přechod,Rychlá spínací dioda,Růst (monokrystalu) zonální tavbou,Růst metodou Czochralského,Růst tažením (monokrastalu),Schotkyho přehrada,Sedlo (tunelové diody),Sedlový bod,Sepnutý stav,Signálová dioda,Slitinová technika,Slitinový přechod,Složený polovodič,Slévání,Směšovací dioda,Součástka citlivá na; elektrostatický výboj,Součástka s přenosem náboje,Součástka s vazbou nábojem-CCD,Spin,Spinové kvantové číslo s,Společná báze,Společný emitor,Společný kolektor,Spínací bod,Spínací dioda,Statická hodnota proudového zesilovacího činitele,Statická; paměť (pro čtení a zápis),Stav zavření,Stechiometrické složení,Strmost (tranzistoru řízeného polem),Strmý přechod,Světelná emisní dioda,Symetrický tranzistor,Technika mesa,Technika nanášení z plynné fáze,Technika sítotiskem,Tenká vrstva (vrstvového integrovaného obvodu),Tepelná kapacita,Tepelný odpor,Tepelný průraz (PN přechodu),Termistor,Tetrodový tranzistor,Tlustá vrstva (vrstvového integrovaného obvodu),Tranzistor,Tranzistor s hradlem izolovaným oxidem řízený polem-MOSFET,Tranzistor s izolovaným hradlem řízený polem,Tranzistor s kanálem N řízený polem,Tranzistor s kanálem P řízený polem,Tranzistor s kovovým hradlem řízený; polem,Tranzistor s přechodovým hradlem řízený polem,Tranzistor s vodivým kanálem řízený polem,Tranzistor řízený polem,Triak,Triodový zpětně propustný tyristor,Triodový zpětně spínací tyristor,Triodový zpětně závěrný tyristor,Tunelová dioda,Tunelový jev (v přechodu PN),Tyristor,Tyristor s hradlem N,Tyristor s hradlem P,Tyristor s řídicí elektrodou N,Tyristor s řídicí elektrodou P,Unipolární tranzistor,Valenční pás,Virtuální (ekvivalentní) teplota,Virtuální teplota,Vlastní polovodič,Vlastní vodivost,Vnitřní ekvivalentní teplota (polovodičové součástky),Vnitřní elektrické pole,Vnitřní pole (Hallova generátoru),Vodivost N,Vodivost P,Vodivostní elektron,Vodivostní proud,Vodivostní pás,Vodič,Volný elektron,Vratný proud,Vrchol (tunelové diody),Vrcholový bod,Vrstva (vrstvového integrovaného obvodu),Vrstvový integrovaný obvod,Vypínací tyristor,Většinový nosič,Vývod (polovodičové součástky),Zakázaný pás,Zapínací napětí hradla,Zapínací napětí řídicí elektrody,Zapínací proud řídicí elektrody,Zapínací proud; hradla,Zbytkové napětí (ochuzovacího typu tranzistoru řízeného polem),Zbytkové napětí při nulovém magnetickém poli (Hallovy součástky),Zbytkové napětí; při nulovém řídicím proudu (Hallovy součástky),Zenerovo napětí,Zenerův průraz (PN přechodu),Zobrazovací součástka s přenosem náboje,Zonální rafinace,Zonální čištění,Zpožďovací člen s postupným přenosem; náboje,Zpětný směr (PN přechodu),Základní kvantové číslo,Závěrná zotavovací doba,Závěrný stav (zpětně závěrného tyristoru),Zónové vyrovnání,konstanta (nosičů náboje),pohyblivost (nosiče náboje),Šířka zakázaného pásu,Čip,Částečně obsazený pás,Öbjemová doba života (minoritních nosičů),Řídicí elektroda,Řídicí proud; (Hallova generátoru),Řídicí proudový vývod (Hallova generátoru)
Harmonizace/Urèení Informace o harmonizovaných a urèených normách jsou zveøejnìny v Databázi harmonizovaných norem
Zapracované dokumenty
OznaèeníRok vydání
IEC 60050-5212002
Zmìny
Katalogové èísloOznaèeníRok vydáníOznaèení zmìnyDatum zrušení
504431ČSN IEC 60050-521 2003A1
507589ČSN IEC 60050-521 2003A2
Opravy
Nahrazuje dokumenty
Katalogové èísloOznaèeníRok vydání
21905ČSN IEC 50(521) 1997
Byla nahrazena dokumenty
Anotace

ČSN IEC 60050-521 ČSN IEC 60050-521 přebírá originál IEC 60050-521 s národní přílohou, která obsahuje překlady termínů a definic a abecední rejstřík českých názvů. Norma obsahuje termíny a definice z oboru polovodičových součástek a integrovaných obvodů. IEC 60050-521 obsahuje termíny a definice v jazyce francouzském a anglickém a překlady termínů do čínského, německého, španělského, japonského, polského, portugalského a švédského jazyka. Změny proti předchozí normě: Toto druhé vydání normy vychází z prvního a je doplněno novými nebo modifikovanými termíny. V oddílech 521-01, 521-06, 521-08 a 521-09 nové normy nedošlo k žádným změnám; oddíly byly převzaty z prvního vydání. V oddíle 521-02 nové normy došlo u termínů 08, 09 a 10 ke změnám definice; u termínu 17 došlo ke změně definice a zrušení poznámky; u termínů 52 a 53 došlo ke změnám definice; byl doplněn nový termín 64 (stará čísla termínů 64, 65, 66, 67, 68 a 69 byla posunuta na 65, 66, 67, 68, 69 a 70); byl doplněn další nový termín 71 (stará čísla termínů 70, 71 a 72 byla posunuta na 72, 73 a 74); byly doplněny další nové termíny 75, 76 a 77 (stará čísla termínů 73, 74, 75 až 80 byla posunuta na 78, 79, 80 až 85). V oddíle 521-03 nové normy byly doplněny tři nové termíny 15, 16 a 17. V oddíle 521-04 nové normy byla u termínu 01 doplněna poznámka; vznikl nový termín 02, čímž bylo oproti staré normě posunuto číslování (stará čísla 02, 03 až 08 jsou teď nová 03, 04 až 09); u nových termínů 04 a 07 došlo ke změně definice; vznikly nové termíny 10, 11, 12, čímž bylo oproti staré normě posunuto číslování (staré číslo 09 je nyní nové 13); byly doplněny nové termíny 14 a 15, čímž došlo k dalšímu posunutí číslování termínů (staré číslo 10 a 11 je nyní 16 a 17); byl doplněn nový termín 18, čímž došlo k dalšímu posunu čísel v nové normě (staré číslo 12 je nyní 19); u termínu 19 v nové normě došlo ke změně definice; vznikly nové termíny 20 a 21, čímž došlo k dalšímu posunu v číslování (staré číslo 13, 14 až 21 je nyní 22, 23 až 30); v nové normě vznikl nový termín 31, čímž došlo k dalšímu posunu čísel oproti staré normě (staré 22, 23 a 24 je nyní 32, 33 a 34); byly doplněny nové termíny 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44 a 45, čímž došlo k posunu v číslování oproti staré normě (staré číslo 25, 26 až 28 je nyní 46, 47 až 49); u termínu 48 v nové normě došlo ke změně definice; vznikl nový termín 50, čímž došlo k dalšímu posunu v číslování termínů v nové normě (staré číslo 29, 30 až 37 je nyní 51, 52 až 59); u termínů 51 a 52 v nové normě došlo ke změně definice; vznikl nový termín 60, čímž došlo k dalšímu posunu v číslování termínů v nové normě (staré číslo 38, 39 až 47 je nyní 61, 62 až 70); u termínu 61 v nové normě byla doplněna poznámka; u termínů 62, 63, 64 a 65 v nové normě došlo ke změně definice; u termínu 68 v nové normě byla zrušena poznámka; vznikly další nové termíny 71 a 72. V oddíle 521-05 nové normy vznikl nový termín 01 (přesunutím termínu 04-48 z prvního vydání normy) a nový termín 02, čímž došlo k posunutí číslování oproti staré normě (staré číslo 01 až 05 je nyní 03 až 07); u termínu 06 v nové normě došlo ke změně definice; vznikl nový termín 08, čímž došlo k posunutí číslování v nové normě (staré číslo 06 je nyní 09); byl doplněn nový termín 10, čímž došlo k dalšímu posunu v číslování v nové normě (staré číslo 07, 08 až 22 je nyní 11, 12 až 26); u termínu 25 v nové normě došlo ke změně definice; vznikl nový termín 27, termín 28 (přesunutím termínu 04-49 z prvního vydání normy) a další nové termíny 29, 30, 31, 32, 33, 34, 35 a 36. V oddíle 521-07 nové normy vznikly nové termíny 10 a 11, čímž došlo k posunutí číslování v nové normě (staré číslo 10, 11 až 13 je nyní 12, 13 až 15); vznikly nové termíny 16, 17 a 18, čímž došlo k posunu v číslování (stará čísla 14, 15 až 20 jsou nyní 19, 20 až 25). V oddíle 521-10